Gruppo modulo emissione luce TOSA-OSottosezione ptical
TOSA, abbreviazione di Transmitter Optical Subassembly, Chinese è un sotto-modulo ad emissione luminosa. L'applicazione principale è quella di convertire i segnali elettrici in segnali ottici (conversione E/O), e gli indicatori di prestazioni includono potenza ottica e soglia.
Il modulo di trasmissione ottica è diviso in un modulo di trasmissione ottica monomo modalità e in un modulo di trasmissione ottica multimoso. L'architettura complessiva del prodotto comprende un sotto-assemblaggio ottico (OSA) e un sotto-assemblaggio elettronico (ESA). In primo luogo, la porzione epitassiale è fatta di arseniuro di gallio (GaAs), fosfuro di indio (InP), arseniuro di gallio indio (InGaAs), ecc. come materiale emettitore di luce e foto-rilevamento, e deposizione di vapore a base di metallo (Deposizione di vapore chimico metallo-organico; Mocvd). ), ecc., per fare il wafer Lei. Nel processo del chip, il wafer viene lucidato e trasformato in un diodo laser. Successivamente, il diodo laser, con un filtro, un coperchio metallico e altri componenti, viene confezionato in una lattina TO (Transmitter Outline can), quindi la lattina TO e il manicotto in ceramica vengono confezionati in un sotto-modulo ottico (OSA). Infine, è incluso il sotto-modulo elettronico (ESA) e il sottosezione elettronico include due CIRCUITI di guida per guidare e ricevere il diodo laser e il diodo fotodefinito, in modo che il modulo di trasmissione ottica sia combinato.
Il sottoseme ottico può essere ulteriormente suddiviso in un sottoassieme ottico trasmettitore (TOSA) e un sottoassieme ottico ricevitore (ROSA).
I principali indicatori di prestazione di TOSA sono il valore di potenza ottica (Po), la lunghezza d'onda centrale (λc) e così via. La potenza ottica è solitamente in mW (o uW), ad esempio Po = 0,5 mW; la lunghezza d'onda unitaria della lunghezza d'onda centrale è nm, e le lunghezze d'onda comuni sono λc = 850 nm, λc = 1310 nm, λc = 1490 nm, λc = 1550 nm e simili.
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